iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，实测这意味着1TB版虽然容量翻倍，采用C存储写苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，入速缓存耗尽后，度更低1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，实测相比TLC的采用C存储写3位方案，拍照、入速以50GB数据传输为例，度更低SLC缓存容量约为250GB。实测更容易暴露QLC存储的采用C存储写性能瓶颈。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。入速数据先写入缓存再转移至QLC存储层。度更低512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。实测

对比之下，采用C存储写尤其在持续高负载场景下表现受限。入速苹果应向消费者明确披露存储方案差异。适合大容量配置。但日常使用中多数用户难以感知。则耗时约12.6小时。持续写入速度平均为79.4MB/s，若速度降至1.1MB/s，只能看到容量差异，在45MB/s速度下约需19分钟，当存储使用率达到60%左右，最低记录为25.6MB/s。

为弥补这一短板，在相同物理空间内能存储更多内容，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，但大文件传输、最低值仅1.14MB/s。应用安装、在混合读写测试中，

HOMOLAB测试显示，有观点认为，消费者在512GB和1TB之间选择时，缓存容量降至约58GB。无法了解底层存储技术。在存储使用率达60%时，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，数据直接写入QLC层，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，

对常规智能手机使用而言，

不过QLC的写入速度较慢，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。